在科技高速发展的现代，没有人可以说自己与半导体没有关系。半导体这个名词虽然听起来比较陌生，但却早已深入我们的生活中，手机、电脑、电视、音响……这些我们日常的电器，里面都有半导体元件。

半导体材料的起源与命名

1833年，英国科学家法拉第发现了一种半导体材料硫化银，它的电阻随着温度上升而降低。这是半导体现象的首次发现。但当时并没有激起太大的火花。

1839年，法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

以上，就是半导体的四个效应先后被发现。

1911年，考尼白格和维斯首次使用半导体这个名词。

1947年12月，贝尔实验室总结出半导体的这四个特性。

1906年，美国电机发明家匹卡，发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器(cat’s whisker)，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。

半导体领域的两大理论

1939年,德国的萧特在「德国物理学报」发表了一篇有关整流理论的重要论文，做了许多推论，他认为金属与半导体间有能障(potential barrier)的存在，其主要贡献就在于精确计算出这个能障的形状与宽度。

1942年，索末菲的学生贝特进一步对整流理论进行发展，他提出了热电子发射理论(thermionic emission)，这些具有较高能量的电子，可越过能障到达另一边，其理论也与实验结果较为符合。

与此同时，布洛赫则在能带理论方面做出了重要的贡献，其定理是将电子波函数加上了週期性的项，首开能带理论的先河。

1929年，德国人佩尔斯指出一个几乎完全填满的能带，其电特性可以用一些带正电的电荷来解释，这就是电洞概念的滥觞；他后来提出的微扰理论，解释了能隙(Energy gap)存在。

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