从之前的文章中我们了解了磁流变抛光的原理：在磁场中，发生流变的磁流变抛光液流经工件与运动盘形成的小间隙时，会对工件表面与之接触的区域产生很大的剪切力，从而使工件表面材料被去除。

那么你知道磁流变这种超精密抛光技术是怎么提出的吗？

其实，磁流变抛光并非最早将磁场应用于光学抛光的方法。早在80年代初期，日本就有人将磁场用于光学加工，形成了磁介质辅助抛光法，主要有以下三种：

1、磁性液体抛光

1984年，Y.Tian和K.Kawata利用磁场对浸入磁性液体中的聚丙烯平片进行加工。原理图如下：

其材料去除率为2μm/min， 经过一小时抛光后，工件表面粗糙度降低了10倍。

1987年，Y.Satio等人又在水基的磁性液中对聚丙烯平片进行了抛光，这种方法的缺点是抛光压力较小，不能对较硬材料进行抛光，而且不能对工件表面进行有效的控制。为获得较大的抛光压力，Umehara等人在磁性液体中放入一个浮体与工件相接触来进行抛光，使压力大大加强，收到了良好的效果。

2、磁场辅助精密抛光

磁场辅助精密抛光是八十年代初Kurobe等人提出来的，原理图如下：

柔性的橡胶垫将铜盘槽底部的磁性液体密封，抛光液放在铜盘槽中橡胶垫的上方，工件浸于抛光液中。在磁场作用下，磁性液体受力并作用到橡胶垫抛光盘上，柔性的橡胶垫抛光盘受力变形，其形状与工件表面形状吻合来对工件进行抛光。抛光后表面粗糙度由10um (峰谷值)降到了几个um。

1989年，Suzuki等人用这种方法使表面粗糙度从1500A降低到了100A，面形误差从0.4μm降到了0.3um。

1993年，Suzuki等人用这种方法对40mm直径的非球面玻璃拋光，材料去除率达到了2-4 um/h。

3、磁力研抛法

磁力研抛法是T.Shinmura等人提出来的，原理是：将被加工，工件与很多磁性抛光粉接触，在外磁场作用下，磁性抛光粉聚结在一起形成磁粉刷，当工件与刷有相对运动时，他们之间相互摩擦，从而实现对工件的抛光。

以上磁场辅助抛光法要么效率低，要么不易控制，要么产生大的下表面破坏层，总之都存在一定的缺陷，于是磁流变抛光在此基础上应运而生。

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